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标题: LM5106MMX/NOPB 具有8V UVLO和可编程死区时间的1.2A、1.8A、100V半桥栅极驱动器 [打印本页]

作者: 蓝信电子 时间: 2023-11-25 10:49
标题: LM5106MMX/NOPB 具有8V UVLO和可编程死区时间的1.2A、1.8A、100V半桥栅极驱动器
LM5106MMX/NOPB 具有8V UVLO和可编程死区时间的1.2A、1.8A、100V半桥栅极驱动器

产品型号：LM5106MMX/NOPB

产品品牌：TI/德州仪器

产品封装：WSON12

产品功能：半桥驱动器

LM5106MMX/NOPB特性
●同时驱动高端和低端N通道MOSFET
●1.8-A峰值输出吸收电流
●1.2-A峰值输出源电流
●自举电源电压范围高达118-V DC
●单个TTL兼容输入
●可编程开启延迟（死区时间）
●启用输入引脚
●快速关闭传播延迟（典型为32 ns）
●驱动1000 pF，上升时间为15 ns，下降时间为10 ns
●电源导轨欠压锁定
●低功耗
●WSON-10（4 mm×4 mm）和VSSOP-10包装

LM5106MMX/NOPB说明
LM5106是一种高压栅极驱动器，设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100V的轨道电压下工作。单个控制输入与TTL信号电平兼容，单个外部电阻器通过紧密匹配的导通延迟电路对开关转换死区时间进行编程。稳健的电平转换技术在消耗低功率的同时高速运行，并提供干净的输出转换。当低侧或自举高侧电源电压低于操作阈值时，欠压锁定禁用栅极驱动器。LM5106采用VSSOP-10或热增强型10引脚WSON塑料封装。

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