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标题: LMG2610RRGT 氮化镓 (GAN) IC [打印本页]

作者: 蓝信电子 时间: 2023-12-13 10:49
标题: LMG2610RRGT 氮化镓 (GAN) IC
LMG2610RRGT 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于ACF的650V 170/248mΩ GaN半桥

产品型号：LMG2610RRGT

产品品牌：TI/德州仪器

产品封装：VQFN40

产品功能：氮化镓 (GAN) IC

LMG2610RRGT特性
●650伏GaN功率-FET半桥
●170-mQ低侧和248-m2高侧GaN场效应晶体管
●具有低传播延迟和可调转转转速率控制的集成栅极驱动器
●具有高带宽和高精度的电流感测仿真
●低侧/高侧门驱动联锁
●高端栅极驱动信号电平移位器
●智能开关自举二极管功能
●高端启动8诚
●低侧/高侧逐周期过流保护
●带FLT引脚报告的过温保护
●AUX空闲静态电流:240 pA
●备用静态电流:50uA
●BST空闲静态电流:60 yA
●最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
●9x7 mm QFN封装，带双散热垫

LMG2610RRGT说明
该LMG2610是一个650-V的GaN功率FET半桥<75瓦的有源钳位反激(ACF)转换器在开关模式电源应用的目的。该LMG2610简化了设计，减少元件数量，并减少电路板空间，通过集成半桥接功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高端栅极驱动电平移位器，采用9 mmX7mm QFN封装。不对称GaN FET的电阻ACF的工作条件进行了优化。可编程转动在转换率上提供EML和振铃控制，与传统的电流检测电阻器相比，低端电流检测仿真降低了功耗，并允许低端热垫连接到冷却PCB电源地。高边栅极驱动信号电平移位器消除了外部解决方案的噪声和突发模式功耗问题。智能开关的GaN自举FET没有二极管正向压降，避免了高侧电源的过充电，并且具有零反向恢复电荷。该LMG2610支持低静态电流和快速启动时间转换器轻载效率要求和突发模式操作。保护功能包括场效应管开启互锁，欠压锁定(UVLO)，逐周期电流限制和过温关断。

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