UCC28C50DR说明
UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。
除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59)。
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20V gs、18V gs 或 15V gs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。
UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。
UCC28C50DR特性
●支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
●30V VDD 绝对最大电压
●1MHz 最大固定频率工作
●50μA 启动电流，最大值 75μA
●低工作电流: 1.3mA（f OSC = 52kHz）
●35ns 快速逐周期过流限制
●峰值驱动电流为 ±1A
●轨到轨输出
25ns 上升时间
20ns 下降时间
●精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
●与 UCCx8C4x 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
●提供功能安全
封装图
