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标题: LM74801QDRRRQ1 用于驱动背对背NFET的3V至65V、汽车理想二极管控制器 [打印本页]

作者: 蓝信电子 时间: 2023-10-28 11:16
标题: LM74801QDRRRQ1 用于驱动背对背NFET的3V至65V、汽车理想二极管控制器
LM74801QDRRRQ1 用于驱动背对背NFET的3V至65V、汽车理想二极管控制器

产品型号：LM74801QDRRRQ1

产品品牌：TI/德州仪器

产品封装：WSON12

产品功能：理想二极管/ORING控制器

LM74801QDRRRQ1特性
●符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
●器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
●器件 HBM ESD 分类等级 2
●器件 CDM ESD 分类等级 C4B
●3V 至 65V 输入范围
●反向输入保护低至 –65V
●在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
●10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
●低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5μs)
●20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
●2.6A 峰值 DGATE 关断电流
●可调节过压保护
●2.87μA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
●采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
●采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM74801QDRRRQ1说明
LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。

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