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DRV5053VAQDBZR 高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器

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发表于 2024-10-8 10:00:06 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
DRV5053VAQDBZR  高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器


产品型号:DRV5053VAQDBZR

产品品牌:TI/德州仪器

产品封装:SOT23-3

产品功能:线性霍尔效应传感器


DRV5053VAQDBZR特征

●线性输出霍尔传感器
●出色的温度稳定性
●温度范围内的灵敏度为 ±10%
●高灵敏度选项:
–11mV/mT(OA,请参见图 17)
–23mV/mT (PA)
–45mV/mT (RA)
–90mV/mT (VA)
+23mV/mT (CA)
+45mV/mT (EA)
●支持宽电压范围2.5 V 至 38 V
●无需外部稳压器
●宽工作温度范围TA = –40 至 125°C
●放大的输出级2.3mA 灌电流,300µA 拉电流
●输出电压:0.2V 至大约 1.8V     。    B = 0mT,OUT = 1V
●快速加电:35µs
●小型封装和外形尺寸
表面贴装 3 引脚 SOT-23 (DBZ)
2.92mm × 2.37mm
穿孔式 3 引脚 TO-92 (LPG)
4.00mm × 3.15mm
●保护特性:
反向电源保护(高达 -22V)
支持高达 40V 的负载突降
输出短路保护
输出电流限制


DRV5053VAQDBZR说明

DRV5053 器件是一个斩波稳定霍尔 IC,可提供在温度范围内具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁感应解决方案,以及集成保护特性。

0V 至 2V 模拟输出可对施加的磁通密度做出线性响应,并且能够辨别磁场方向的极性。该器件具有 2.5V 至 38V 的宽工作电压范围,反极性保护高达 –22V,因此适用于各种 工业和消费类应用。

针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流,提供了内部保护功能。


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